近日，Micro LED微顯方面又迎來新動態(tài)：
- 三星預(yù)測：硅基Micro LED將發(fā)展為單片式；
- 沙特KAUST團(tuán)隊(duì)發(fā)表Micro LED論文.
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三星預(yù)測：硅基Micro LED將發(fā)展為單片式
近日，三星顯示一位高管表示，公司預(yù)計(jì)增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)設(shè)備中使用的硅基 LED (LEDoS) 技術(shù)將逐漸發(fā)展為單片式LED。單片面板是指僅使用一個(gè) CMOS 面板，其上的 RGB三色LED 垂直堆疊或水平對齊。
在2023年7月，三星曾表示LEDoS 將取代硅基 OLED（OLEDoS）成為 AR 設(shè)備的主導(dǎo)顯示屏，并在開發(fā)小于 10 微米和 5 微米的 LEDoS。據(jù)悉，三星顯示的OLEDoS已供應(yīng)蘋果Vision Pro。
硅基LED技術(shù)是一種在硅基板上生成無數(shù)微米級LED的技術(shù)，由于其亮度具備優(yōu)勢，因此該技術(shù)被視為VR、XR、MR設(shè)備微型顯示器的未來。
目前的藍(lán)光量子點(diǎn)硅基LED技術(shù)，是在CMOS面板或者背面上形成藍(lán)色LED發(fā)光層，然后在這之上覆蓋不同的量子點(diǎn)材料，將藍(lán)光轉(zhuǎn)化為紅光、綠光；像素最上方有著微透鏡，用于增強(qiáng)亮度。
另一種三色合光的技術(shù)，是使用獨(dú)立的硅基R、G、B發(fā)光體組合而成，相互垂直排列，但該技術(shù)需要波導(dǎo)元件來控制光的方向。
而最理想的方式是單片式硅基LED面板，R、G、B三種發(fā)光體可以一起沉積在CMOS或者玻璃基板表面，但這需要高溫外延工藝進(jìn)行制造。
三星顯示公司高管補(bǔ)充，RGB LED在安裝到CMOS基板上之前必須單獨(dú)制造，因此存在難度和成本問題。這意味著微顯示器上的LEDoS技術(shù)不僅僅是OLED的延伸，還需要光學(xué)、面板、工藝和材料方面的新技術(shù)，可以為顯示行業(yè)創(chuàng)造新的價(jià)值。
三星顯示器于 2022 年啟動了 M 項(xiàng)目，旨在開發(fā)針對現(xiàn)實(shí)設(shè)備的硅基微型顯示器 LEDoS 和 OLED。
不過，目前虛擬現(xiàn)實(shí)、混合顯示市場發(fā)展緩慢，無法帶動微型顯示器市場，后續(xù)發(fā)展仍需時(shí)間的考驗(yàn)。
應(yīng)用以上3種技術(shù)的Micro LED微顯均在近幾年實(shí)現(xiàn)了技術(shù)迭代，其中單片式Micro LED的研究也在逐步推進(jìn)，特別是垂直堆疊的結(jié)構(gòu)。行家說Research將在Q3季度發(fā)布的《薄膜Micro LED產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》中將詳細(xì)介紹LEDoS的技術(shù)進(jìn)展及商業(yè)化進(jìn)程等。
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沙特KAUST團(tuán)隊(duì)：無刻蝕損傷的Micro LED像素制造技術(shù)
最近，沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)（KAUST）先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室論證了一種名為選擇性熱氧化（STO）的新型Micro LED像素定義方法。這種方法免除了像素制造工藝中等離子刻蝕的需要，為進(jìn)一步提升Micro LED性能提供了新的解決方案。
KAUST的工程師們通過高溫?zé)嵬嘶鸸に?strong>選擇性的氧化了芯片中的非像素區(qū)域，致使非像素區(qū)域內(nèi)的p層和InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，并使該區(qū)域失去發(fā)光功能。通過STO工藝,Micro LED像素得以定義, 并顯示出低漏電和高效率等卓越的器件性能。
該方法普遍適用于InGaN/GaN的不同顏色（藍(lán)，綠，紅）的Micro LED制造，有望在未來微型顯示、可見光通信和基于光學(xué)互連的存儲器等多項(xiàng)應(yīng)用中發(fā)揮重要作用。
其團(tuán)隊(duì)表示，目標(biāo)是將Micro LED應(yīng)用于增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí) （AR/VR）的產(chǎn)品中。目前，利用所提出STO技術(shù)已實(shí)現(xiàn)小至2.3微米的Micro LED像素發(fā)光。實(shí)驗(yàn)室正在計(jì)劃將制造的器件轉(zhuǎn)移到商用的微型顯示面板上做進(jìn)一步的驗(yàn)證。
值得注意的是，行家說Research將在Q3季度發(fā)布《薄膜Micro LED產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，其中就包含了應(yīng)用在中小尺寸薄膜Micro LED的垂直堆疊技術(shù)，以及大尺寸的MiP技術(shù)，屆時(shí)將展出更詳細(xì)的Micro LED項(xiàng)目進(jìn)展、商業(yè)化進(jìn)程與趨勢等，歡迎大家提前訂閱，也歡迎企業(yè)共同參與。
目錄（最終目錄以發(fā)布版為準(zhǔn)）
一、2024年全球薄膜Micro LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展與趨勢
1.1 薄膜Micro LED定義及行業(yè)趨勢
1.2 薄膜Micro LED產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)及應(yīng)用方向
1.3 薄膜Micro LED重要發(fā)展沿革
1.4 薄膜Micro LED的行業(yè)問題及進(jìn)攻方向
二、薄膜Micro LED商業(yè)化路徑和策略
2.1 薄膜Micro LED 2024-2026年商業(yè)化路徑
2.2 薄膜Micro LED 商業(yè)化策略思考
三、薄膜Micro LED2024-2028市場規(guī)模分析
3.1 2024-2028薄膜Micro LED整體應(yīng)用市場出貨量及產(chǎn)值分析
3.2 2024-2028薄膜Micro LED-大屏顯示規(guī)模分析
3.3 2024-2028薄膜Micro LED-車用規(guī)模分析
3.4 2024-2028薄膜Micro LED-穿戴式顯示規(guī)模分析
3.5 2024-2028薄膜Micro LED外延片出貨量和芯片產(chǎn)值貢獻(xiàn)分析
四、薄膜Micro LED關(guān)鍵技術(shù)分析
4.1 薄膜Micro LED關(guān)鍵技術(shù)—外延
4.2 薄膜Micro LED關(guān)鍵技術(shù)—芯片
4.3 薄膜Micro LED關(guān)鍵技術(shù)—紅光與色轉(zhuǎn)換
4.4 薄膜Micro LED關(guān)鍵技術(shù)—制程
4.5 薄膜Micro LED關(guān)鍵技術(shù)—驅(qū)動與基板
4.6 薄膜Micro LED關(guān)鍵技術(shù)—巨量轉(zhuǎn)移
4.7 薄膜Micro LED關(guān)鍵技術(shù)—巨量檢測
4.8 薄膜Micro LED關(guān)鍵技術(shù)—巨量修復(fù)
五、薄膜Micro LED技術(shù)路線
5.1 中小尺寸薄膜Micro LED技術(shù)路線(垂直堆疊)
5.2 大尺寸薄膜Micro LED技術(shù)路線（MiP）
六、薄膜Micro LED VS OLED技術(shù)與市場分析
6.1 薄膜Micro LED VS OLED技術(shù)路線分析
6.2 薄膜Micro LED VS OLED市場發(fā)展分析
6.3 薄膜Micro LED VS OLED最新優(yōu)劣勢對比
七、薄膜Micro LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析及趨勢展望
7.1 薄膜Micro LED技術(shù)展望
7.2 薄膜Micro LED產(chǎn)品展望
7.3 薄膜Micro LED價(jià)格分析
7.4 薄膜Micro LED成本分析
7.5 薄膜Micro LED規(guī)模展望
八、薄膜Micro LED關(guān)鍵應(yīng)用品牌進(jìn)度分析
8.1 汽車品牌應(yīng)用相關(guān)進(jìn)度分析
8.2 可穿戴品牌應(yīng)用相關(guān)進(jìn)度分析
8.3 電視品牌Micro LED應(yīng)用相關(guān)進(jìn)度分析
九、薄膜Micro LED關(guān)鍵廠商進(jìn)展
9.1 Micro LED面板關(guān)鍵廠商進(jìn)展
9.2 Micro LED芯片關(guān)鍵廠商進(jìn)展
9.3 Micro LED解決方案關(guān)鍵廠商進(jìn)展
9.4 Micro LED配套材料關(guān)鍵廠商進(jìn)展
9.5 Micro LED配套設(shè)備關(guān)鍵廠商進(jìn)展
十、薄膜Micro LED產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈庫
10.1 薄膜Micro LED相關(guān)品牌商列表
10.2 Micro LED芯片廠商列表
10.3 Micro LED解決方案廠商列表
10.4 Micro LED配套材料廠商列表
10.5 Micro LED配套設(shè)備廠商列表