6 月 18 日消息，據韓媒《韓國經濟日報》報道，三星電子將于年內推出可將 HBM 內存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術。

報道同時指出，在今年發布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內存中正式應用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術。

SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內存裸片。報道稱該技術的具體實現方式是在處理器和 HBM 芯片間建立硅中介層。

三星電子近期在三星代工論壇 2024 北美場上表示，其 SAINT-D 技術目前正處于概念驗證階段。

韓媒表示，SAINT-D 技術有望改變 AI 半導體領域的游戲規則：

目前 HBM 內存與處理器之間采用 2.5D 封裝連接，兩者之間存在一定距離，不僅引入了更大傳輸延遲，同時還影響了電信號質量、提升了數據移動功耗。

而 SAINT-D 技術將處理器和 HBM 內存的距離降到更低，有利于 AI 加速器芯片進一步釋放性能潛力。

對于三星電子整體而言，由于可提供從先進節點代工、HBM 內存生產到整體封裝集成的全流程“交鑰匙”服務，SAINT-D 的應用也可帶動 HBM 和代工業務的發展。

根據市場研究機構 MGI 的數據，SAINT-D 等先進封裝市場的規模將從 2023 年的 345 億美元成長至 800 億美元。